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    磁疇觀測克爾顯微鏡

    簡要描述:磁疇觀測克爾顯微鏡是通過磁光克爾效應來測量磁疇結構。Neoark磁疇觀測顯微鏡對極向/縱向磁光克爾效應都十分靈敏,因此成為磁性微結構觀測的理想工具。

    • 產品型號:
    • 廠商性質:代理商
    • 更新時間:2021-06-02
    • 訪  問  量:3079
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    詳細介紹
    產地類別國產

    磁疇觀測克爾顯微鏡

    Neoark磁疇觀測顯微鏡是通過磁光克爾效應來測量磁疇結構。Neoark磁疇觀測顯微鏡對極向/縱向磁光克爾效應都十分靈敏,因此成為磁性微結構觀測的理想工具。該系統光源為100W的汞燈通過偏振片產生線偏振光,結合偏光顯微鏡使磁疇觀測,使其空間分辨率可以達到1mm,在實際測量時可達到1mm以下,非常有利于磁性微結構。采用雙極電磁鐵產生外磁場,zui大可提供10KOe的外加磁場。

     

     

     

    磁疇觀測系統、磁疇觀測顯微鏡、克爾顯微鏡、Magnetic Domain Observation Microscope、磁疇觀察顯微鏡、磁疇觀測克爾顯微鏡

     

     

    當一束線偏振光照被磁性介質反射后,反射光的偏振面相對于入射光的偏振面有一個小的角度偏轉(克爾旋轉角),這一現象被稱為磁光克爾效應。是通過縱向/極向磁光克爾效應來測量磁疇結構。磁疇的存在導致了內部磁化強度的區域分布不同,由于磁光克爾效應的影響,導致了反射光光斑內與材料內部磁化區域相對應的反射區域偏振態不同,偏振光經過檢偏器后光斑的強度分布不同,從而得到磁疇結構。

     

    磁疇觀測顯微鏡采用100W的汞燈做為光源,經過起偏器產生線偏振光作用于磁性材料,結合偏振顯微鏡觀測,觀測空間分辨率可達到1mm。在實際的測量中分辨率甚至可達到1mm以下,這非常有利于對微小區域磁性的觀察。因此該磁疇觀測系統成為磁性微結構的理想觀測系統。

     

    還可以觀測動態磁疇的變化。MOKE磁疇觀測顯微鏡裝配基礎觀測軟件和Flame movie 軟件可以實現連續的可選擇的磁場變化下磁疇圖像的連續觀測。采用雙極電磁鐵,可以提供的外加磁場強度高達10KOe。此外可以選配多種電磁體:四極磁體、偶極磁體以及螺線管磁體。外加磁場可以實現任意的磁場波形控制,能夠輕松地在樣品表面產生各種復雜的磁場。

     

    上海昊量光電設備有限公司的磁疇觀測顯微鏡可分為兩類:

     

    常規條件的磁疇觀測系統

     

    該類型的主要包含BH-786系列和BH-785iPWF6。該系列使用的光源為汞燈,可以從極向和縱向對磁疇進行觀測,并可以隨意切換觀測方向。采用白光觀測,使得標準產品的空間分辨率可到達1mm´50倍物鏡).

     

     

     

     

     

     

     

     

    條件的磁疇觀測設備(低溫高溫下)

     

    該設備是用于變溫條件下磁疇的觀察。主要包含BH-7850系列。該克爾顯微鏡可以從極向/縱向兩個方向進行觀測。可以實現在極低溫度條件下的磁疇觀測,測試溫度范圍可達到2.2-500K

     

     

     

     

    u  主要特點

    • 高分辨率(1mm
    • 高外加磁場
    • 高靈敏度
    • 高穩定性
    • 可選配電磁體

     

    u  主要應用

    磁性材料、磁性薄膜磁疇的動態靜態觀測等。

     

    u  產品主要參數

    產品型號

    主要參數

    BH-786IP

    BH-786IWF8

    BH-786iP-12

    BH-785iPWF6

    BH-7850 series(條件)

    光源

    汞燈

    空間分辨率

    ´20倍物鏡

    2.5mm

    面內

    1mm

    面內

    1.5mm

    面內

    1.5mm

    ´20倍物鏡

    2.5mm

    ´50倍物鏡

    1.0mm

     

    極向

    0.9mm

     

     

    觀測面積

    ´20倍物鏡

    250´175mm

     

    ´20倍物鏡

    250´200mm

    ´20倍物鏡

    250´200mm

    ´20倍物鏡

    250´200mm

    ´50倍物鏡

    100´70mm

    ´50倍物鏡

    100´75mm

     

     

     

    可產生磁場

    >±10kOe=1T

    >±0.2T

     

    >±0.2T

    >±0.2T

    可測樣品大小

    5´5´1tmm

    ~10´10´1tmm

    8英寸wafer

    5´5~20´20mm

    1mmt

    6英寸wafer

     

    工作溫度

    20~25

    2.2~500K

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