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    半導(dǎo)體可飽和吸收體

    簡要描述:半導(dǎo)體可飽和吸收體:可飽和吸收體產(chǎn)品包括:SAM半導(dǎo)體可飽和吸收鏡、SA 可飽和吸收體、RSA 諧振飽和吸收器、RSAM共振可飽和吸收鏡、SANOS 可飽和噪聲去除腔。 我司所提供的可飽和吸收產(chǎn)品,可以覆蓋620nm到3.5μm的常用激光波長范圍。

    • 產(chǎn)品型號:
    • 廠商性質(zhì):代理商
    • 更新時間:2023-05-11
    • 訪  問  量:1620
    詳細介紹
    品牌昊量光電價格區(qū)間10萬-30萬
    組成要素半導(dǎo)體激光器產(chǎn)品及設(shè)備產(chǎn)地類別進口
    應(yīng)用領(lǐng)域綜合

    半導(dǎo)體可飽和吸收體


    目前,可飽和吸收體產(chǎn)品包括:SAM半導(dǎo)體可飽和吸收鏡(Semiconductor Saturable absorber mirror)、SA 可飽和吸收體(Saturable Absorber in transmission)、RSA 諧振飽和吸收器(Resonant Saturable Absorber in transmission)、RSAM共振可飽和吸收鏡(Resonant Saturable absorber mirror)、SANOS 可飽和噪聲去除腔(Saturable Noise Suppressor)。 我司所提供的可飽和吸收產(chǎn)品,可以覆蓋620nm到3.5μm的常用激光波長范圍。


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    SAM-半導(dǎo)體可飽和吸收鏡 (Saturable Absorber Mirror)


    SAM結(jié)構(gòu)是由一面反射鏡和前面的一個飽和吸收體組成。鏡子的單晶層和吸收體生長在GaAs等晶圓上。


    SAM實際上是一面非線性的反射鏡,反射率隨脈沖能量的增加而增加。


    應(yīng)用:利用飽和吸收鏡(SAM),可以實現(xiàn)具有非常穩(wěn)定脈沖重復(fù)率的自啟動被動鎖模二極管泵浦激光器、固體激光器和光纖激光器,光譜范圍涵蓋620nm~3.5μm內(nèi)都可以使用。此外,還可以利用SAM作為非線性光學(xué)器件來實現(xiàn)Q開關(guān)微片激光器。



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    RSAM 共振飽和吸收鏡(Resonant Saturable Absorber Mirror)


    用于固態(tài)激光器的無源鎖模,用作激光輸出元件。


    RSAM被設(shè)計成諧振Gires Tournois干涉儀結(jié)構(gòu),吸收層位于共振腔內(nèi)波腹處。RSAM是一種非線性光學(xué)器件,對如噪聲具有很低的反射率,對高功率信號(如光脈沖)具有很高的反射率。光脈沖使吸收器材料在RSAM的共振腔內(nèi)飽和。由于吸收材料的恢復(fù)時間短,RSAM在反射脈沖后及時過濾噪聲。RSAM的重要參數(shù)是共振波長、帶寬和飽和通量。RSAM應(yīng)用于光噪聲抑制,例如在EDFA或脈沖選擇器之后光-光波長轉(zhuǎn)換。


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    SOC飽和輸出耦合器(Saturable Output Coupler )


    用于固態(tài)激光器的無源鎖模,用作激光輸出元件。


    使用飽和輸出耦合器(SOC),一個自啟動,被動鎖模或Q開關(guān)二極管泵浦固體或光纖激光器,結(jié)構(gòu)非常簡單。SOC是一個飽和吸收鏡(SAM)與輸出耦合鏡的組合。


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    SANOS飽和噪聲抑制器(Saturable Noise Suppressor)


    用于抑制光噪聲,例如光放大器后的ASE或脈沖提取器后的剩余脈沖。


    可以提供自由空間或光纖耦合類型。


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    SA可飽和吸收器( Saturable Absorber )


    適用于用于固態(tài)、環(huán)形或光纖環(huán)形激光器的無源鎖模。


    可以提供自由空間或光纖耦合類型。


    SA的典型飽和通量比SAM高。


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    RSA共振飽和吸收體( Resonant Saturable Absorber in transmission )


    共振飽和吸收體可用于環(huán)形激光器的被動鎖模。具有以下特殊性能:低強度時,共振波長處的反射率為零。共振之外的所有波長的透過率為零。在共振波長處,透射率隨脈沖強度的增大而增大。飽和通量明顯低于SA,甚至低于典型的SAM。上述特性使被動鎖模光纖環(huán)形激光器的構(gòu)建成為可能,該激光器的激光波長固定在RSA的諧振波長處,連續(xù)波鎖模啟動的功率閾值較低。


    ** 關(guān)于半導(dǎo)體可飽和吸收體的詳細規(guī)格參數(shù)要求,可咨詢上海昊量光電設(shè)備有限公司。


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